Vishay最新第四代600V E系列MOSFET器件問市

摘要：日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600VE系列MOSFET低27%,為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案,同時(shí),柵極電荷下降60%。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平,該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo)(FOM)。

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