摘要：具有優(yōu)良熱紅外透明性的ZnS是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在電致發(fā)光以及熒光效應(yīng)方面有很大的潛力,因此被廣泛用于發(fā)光器件和光催化等領(lǐng)域。對(duì)于ZnS進(jìn)行適當(dāng)?shù)膿诫s能有效改變其發(fā)光和吸收性能,從而讓其作為發(fā)光材料擁有更大的應(yīng)用價(jià)值。本工作應(yīng)用基于密度泛函理論的第一性原理,計(jì)算并對(duì)比分析了純凈ZnS以及Ag摻雜濃度分別為3.125%、9.375%、25%、50%的ZnS的晶體學(xué)結(jié)構(gòu)、電子性質(zhì)以及光學(xué)性質(zhì)。研究結(jié)果表明,更高的摻雜濃度能有效降低禁帶寬度,并增強(qiáng)ZnS在紅外波段的光學(xué)吸收與反射。本研究為制備Ag摻雜ZnS半導(dǎo)體提供了理論依據(jù),針對(duì)不同需求調(diào)節(jié)摻雜濃度以制備特定性能的ZnS晶體。