檸檬酸鈉對Ni-Sn-Mn合金電沉積行為及耐蝕性的影響

作者:孟慶波; 齊海東; 盧帥; 郭昭; 楊海麗 華北理工大學現代冶金技術教育部重點實驗室; 河北唐山063210

摘要:為了探索檸檬酸鈉在Ni-Sn-Mn合金電沉積過程中的作用機制,采用掃描電子顯微鏡、陰極極化曲線、循環(huán)伏安曲線、電化學阻抗、恒電位階躍及Tafel曲線等方法,研究了檸檬酸鈉的濃度對Ni-Sn-Mn合金的表面形貌、電沉積行為及耐蝕性的影響。結果表明:隨著檸檬酸鈉濃度的增加,Ni-Sn-Mn合金電沉積的陰極極化增強,沉積電位負移,電荷轉移電阻增大;不同檸檬酸鈉濃度下的電沉積過程均不可逆,并且電結晶過程遵循由電荷傳遞過程和擴散過程共同控制的三維連續(xù)成核機制;當檸檬酸鈉的濃度為0.5mol/L時,鍍層最為均勻、細密,在質量分數為3.5%的NaCl溶液中具有最正的自腐蝕電位及最小的自腐蝕電流密度,耐蝕性最好。

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