摘要:采用自主研發(fā)的大弧源技術(shù),復(fù)合中頻磁控濺射石墨靶,避免H元素的引入,在鋯合金表面快速沉積了致密、超厚(約20μm)的Ti-Al-C涂層.經(jīng)過(guò)不同溫度(550、650、750和850℃)和時(shí)間(1、2和3 h)的真空退火后發(fā)現(xiàn),至少在650℃才能獲得Ti2AlC結(jié)構(gòu),更高的溫度會(huì)加速Ti2AlC的生成.高溫沉積對(duì)制備Ti2AlC相涂層而言是必備的.
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