摘要：為在實(shí)際工程應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高系統(tǒng)功率密度輸出和可靠性要求,基于器件測(cè)試平臺(tái),對(duì)IGBT5大功率芯片P5的開關(guān)特性進(jìn)行了研究,分析了其開通、關(guān)斷過程隨門極電阻、驅(qū)動(dòng)電壓、結(jié)溫等外部應(yīng)用條件變化的規(guī)律,研究了異常短路條件下其開關(guān)特性,并對(duì)開關(guān)異?，F(xiàn)象從半導(dǎo)體原理上進(jìn)行解釋和說明。