一種二次補(bǔ)償?shù)膸峨妷夯鶞?zhǔn)

作者:陳光華; 陳俊飛; 高博 四川大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院微電子技術(shù)四川省重點實驗室; 成都610064; 四川郵電職業(yè)技術(shù)學(xué)院; 成都610066

摘要:為了降低帶隙基準(zhǔn)電壓源的溫漂系數(shù),設(shè)計了一種采用β倍增器電流源和IPTAT2電流源作為二次曲率補(bǔ)償技術(shù)的超低溫漂基準(zhǔn)電壓源。運用SMIC0.18μm工藝,仿真結(jié)果表明,在-40~85℃,該基準(zhǔn)電壓源的溫漂系數(shù)為0.336×10^-6/℃,大大降低了溫度對電壓源的影響。

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