一種高帶寬、高電源抑制比的跨阻放大器

作者:周萬(wàn)禮; 章玉飛; 路統(tǒng)霄; 胡懷志; 甄少偉; 張有潤(rùn); 張波 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 成都610054

摘要:光電探測(cè)器是激光雷達(dá)的核心器件,通常由雪崩光電二極管(APD)陣列和相應(yīng)的讀出電路組成。跨阻放大器是讀出電路的關(guān)鍵部分,其性能在很大程度上決定光電探測(cè)組件的性能。基于0.18μmCMOS工藝,針對(duì)大輸入電容線性APD陣列的應(yīng)用,設(shè)計(jì)了一種高增益、高帶寬、高電源抑制比的跨阻放大器?;跓o(wú)源反饋和有源前饋的補(bǔ)償方式拓展了跨阻放大器帶寬,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高增益和高帶寬;設(shè)計(jì)了具有高電源抑制比的片上無(wú)電容低壓差穩(wěn)壓器,提高了跨阻放大器的穩(wěn)定性。仿真結(jié)果表明:跨阻增益為104.7dB·Ω,帶寬為198.8MHz,等效輸入噪聲電流為3.65pA·Hz1/2,低頻電源抑制比為-57.8dB,全帶寬范圍內(nèi)電源抑制比低于-10.6dB。

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