摘要：高密度電阻率測(cè)深法裝置頗多,對(duì)稱四極測(cè)深法是常用的。但在探測(cè)的靶區(qū)不具備對(duì)稱四極裝置工作的條件下,用單極—偶極裝置測(cè)深也是很普遍。單極—偶極裝置探測(cè)非層狀地質(zhì)體的視電阻率異常具有個(gè)性,認(rèn)識(shí)它十分必要。探測(cè)層狀地層結(jié)構(gòu)和形態(tài),測(cè)深法的各種裝置的異常特征是一致的,資料解釋也相近。但對(duì)低阻溶洞體,單極—偶極裝置測(cè)深的異常特征與對(duì)稱四級(jí)裝置存在差異,資料解釋也不相同。通過(guò)實(shí)際勘查工作,單極—偶極裝置測(cè)深獲得的低阻洞體異常,鉆孔不能定在異常中心部位,而應(yīng)定在單極一側(cè)的低阻異常梯度帶附近。實(shí)際探測(cè)和鉆探結(jié)果驗(yàn)證了這一結(jié)論。