摘要：研制了一款基于NEDI 50nm GaN功率MMIC工藝的3mm波段高增益、寬頻帶功率放大器芯片。芯片采用平衡放大器結(jié)構(gòu),結(jié)合多節(jié)微帶線阻抗匹配方式實現(xiàn)寬帶放大器。由于該頻段器件增益較低,通過合理選擇輸出阻抗點,使放大器實現(xiàn)較高的增益和較大的輸出功率。測試結(jié)果表明,芯片在8V漏壓連續(xù)波下工作,在55~110GHz在片測試頻率范圍內(nèi),增益達(dá)到15dB,輸入輸出端口回波損耗基本小于-10dB,便于系統(tǒng)應(yīng)用。通過分頻段測試,在55~115GHz頻率范圍內(nèi),最大飽和輸出功率達(dá)到180mW。