摘要：理論上,SrTiO3(以下簡(jiǎn)稱STO)晶界層電容器介電常數(shù)取決于陶瓷片的晶粒大小、導(dǎo)電性、晶界絕緣層的厚度和介電常數(shù).但對(duì)實(shí)際的STO晶界層陶瓷電容器研究發(fā)現(xiàn),金屬電極與STO陶瓷片的表面接觸對(duì)電容器的電容和介電常數(shù)也有很大影響.研究表明,當(dāng)電極/STO為非歐姆接觸時(shí),STO陶瓷片的電容和介電常數(shù)較小;當(dāng)電極/STO為歐姆接觸時(shí),STO陶瓷片電容器的電容和介電常數(shù)增大.采用Ag漿制作電極時(shí),通過(guò)調(diào)整燒制Ag電極的溫度和時(shí)間,當(dāng)T=880℃,t=3.5h時(shí),STO電容器的介電性能達(dá)到最佳,εr=22850,tgδ=1.0%.