自發(fā)Raman散射過(guò)程中寫激發(fā)率對(duì)光與原子糾纏源質(zhì)量的影響

作者:張浩毅; 溫亞飛; 周湃; 袁亮; 徐忠孝; 李淑靜; 王海 山西大學(xué)光電研究所量子光學(xué)與光量子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山西太原030006; 山西大學(xué)極端光學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心; 山西太原030006

摘要:在87Rb冷原子系綜中,利用自發(fā)Raman散射過(guò)程,實(shí)現(xiàn)了光與原子的糾纏。測(cè)量了Bell參數(shù)S隨著寫激發(fā)率的變化關(guān)系,當(dāng)寫激發(fā)率增加時(shí),Bell參數(shù)s逐漸下降。當(dāng)寫激發(fā)率約為1%時(shí),測(cè)量了Bell參數(shù)S與自旋波存儲(chǔ)時(shí)間的關(guān)系。實(shí)驗(yàn)測(cè)得Bell參數(shù)S會(huì)隨著存儲(chǔ)時(shí)間t的增大而減小,在t=80μs的時(shí)候S參數(shù)的測(cè)量值仍然大于2,證明產(chǎn)生的光與原子的糾纏可以保持80μs以上。本文的研究結(jié)果為產(chǎn)生高質(zhì)量的光與原子量子糾纏提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。

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