摘要：采用納米澆鑄法制備了高比表面積(345 m^2/g)且孔徑均一的有序介孔SiC材料(SiC-OM),以商用SiC(49 m^2/g,SiC-C)材料為參比載體。采用等體積浸漬法分別制備了Ni/SiC-OM和Ni/SiC-C,并考察其在CH4-CO2重整反應中的催化性能。利用ICP、BET、XRD、H2-TPR、XPS、HRTEM、TG和Raman等手段對反應前后的兩種催化劑進行表征。結果表明,在700℃、1.013×10^5 Pa和12 L/(h·g)的重整條件下,Ni/SiC-OM的平均積炭速率比Ni/SiC-C降低了一個數(shù)量級,這主要歸因于強金屬-載體相互作用和有序介孔骨架的“限域效應”作用。