Journal Title：Ieee Transactions On Nuclear Science
The IEEE Transactions on Nuclear Science is a publication of the IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society. It is viewed as the primary source of technical information in many of the areas it covers. As judged by JCR impact factor, TNS consistently ranks in the top five journals in the category of Nuclear Science & Technology. It has one of the higher immediacy indices, indicating that the information it publishes is viewed as timely, and has a relatively long citation half-life, indicating that the published information also is viewed as valuable for a number of years.
The IEEE Transactions on Nuclear Science is published bimonthly. Its scope includes all aspects of the theory and application of nuclear science and engineering. It focuses on instrumentation for the detection and measurement of ionizing radiation; particle accelerators and their controls; nuclear medicine and its application; effects of radiation on materials, components, and systems; reactor instrumentation and controls; and measurement of radiation in space.
《IEEE 核科學匯刊》是 IEEE 核與等離子體科學學會的出版物。它被視為其所涵蓋的許多領域的主要技術信息來源。根據(jù) JCR 影響因子的判斷，TNS 始終位列核科學與技術類別的前五名期刊。它的即時性指數(shù)較高，表明其發(fā)布的信息被視為及時，并且引用半衰期相對較長，表明所發(fā)布的信息在多年內(nèi)也被視為有價值。
《IEEE 核科學匯刊》每兩個月出版一次。其范圍包括核科學和工程理論和應用的所有方面。它專注于檢測和測量電離輻射的儀器；粒子加速器及其控制；核醫(yī)學及其應用；輻射對材料、部件和系統(tǒng)的影響；反應堆儀器和控制；以及太空輻射測量。
Ieee Transactions On Nuclear Science創(chuàng)刊于1954年，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版，收稿方向涵蓋工程技術 - 工程：電子與電氣全領域，此刊是中等級別的SCI期刊，所以過審相對來講不是特別難，但是該刊專業(yè)認可度不錯，仍然是一本值得選擇的SCI期刊 。平均審稿速度 約3.0個月 ，影響因子指數(shù)1.9，該期刊近期沒有被列入國際期刊預警名單，廣大學者值得一試。
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區(qū) | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
名詞解釋：
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū)，基礎版分為13個大類學科，然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區(qū)，影響因子5%為1區(qū)，6%-20%為2區(qū)，21%-50%為3區(qū)，其余為4區(qū)。
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區(qū) | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 1區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區(qū) | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 | 4區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區(qū) | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區(qū) | 小類學科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區(qū) | NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 1區(qū) 3區(qū) | 是 | 否 |
| 按JIF指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
| 學科：NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY | SCIE | Q1 | 10 / 40 |
76.3% |
| 按JCI指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 149 / 354 |
58.05% |
| 學科：NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY | SCIE | Q2 | 13 / 40 |
68.75% |
名詞解釋：
WOS即Web of Science，是全球獲取學術信息的重要數(shù)據(jù)庫，Web of Science包括自然科學、社會科學、藝術與人文領域的信息，來自全世界近9,000種最負盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學術會議多學科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時會按照某一個學科領域劃分，根據(jù)這一學科所有按照影響因子數(shù)值降序排名，然后平均分成4等份，期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中，最后的劃分結果分別是Q1，Q2，Q3，Q4，Q1代表質(zhì)量最高。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||
| 3.7 | 0.537 | 1.339 |
|
名詞解釋：
CiteScore：衡量期刊所發(fā)表文獻的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經(jīng)過加權后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權值由施引期刊的學科領域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標準化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學科領域中預期的受引用情況進行衡量。
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開放 | 110 | 330 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 16.44% | 1.9 | 0.15... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預警名單（試行）》名單： |
| 99.70% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| USA | 331 |
| CHINA MAINLAND | 200 |
| France | 185 |
| Italy | 105 |
| Switzerland | 95 |
| Japan | 78 |
| GERMANY (FED REP GER) | 53 |
| South Korea | 44 |
| England | 41 |
| Russia | 37 |
2023-2024機構發(fā)文量統(tǒng)計：
| 機構 | 數(shù)量 |
| UNITED STATES DEPARTMENT OF ENER... | 105 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 100 |
| VANDERBILT UNIVERSITY | 93 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 80 |
| EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEA... | 76 |
| CEA | 73 |
| ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUC... | 58 |
| UNIVERSITE DE TOULOUSE | 34 |
| UNIVERSITE DE MONTPELLIER | 31 |
| UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFE... | 29 |
近年引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T NUCL SCI | 1985 |
| NUCL INSTRUM METH A | 350 |
| J INSTRUM | 147 |
| APPL PHYS LETT | 112 |
| J APPL PHYS | 102 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 84 |
| NUCL INSTRUM METH B | 60 |
| MED PHYS | 52 |
| MICROELECTRON RELIAB | 50 |
| PHYS MED BIOL | 48 |
近年被引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T NUCL SCI | 1985 |
| NUCL INSTRUM METH A | 1041 |
| PHYS MED BIOL | 365 |
| MICROELECTRON RELIAB | 360 |
| J INSTRUM | 341 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 192 |
| PROG NUCL ENERG | 188 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 168 |
| IEEE ACCESS | 160 |
| SENSORS-BASEL | 159 |
近年文章引用統(tǒng)計：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| Needs, Trends, and Advances in I... | 53 |
| Evolution of Total Ionizing Dose... | 15 |
| Contribution of Thermal Neutrons... | 12 |
| Displacement Damage in Silicon D... | 11 |
| Improvement of the Time Resoluti... | 11 |
| Influence of LDD Spacers and H+ ... | 9 |
| LHC and HL-LHC: Present and Futu... | 9 |
| Thin Silicon Microdosimeter Util... | 9 |
| Luminescence and Scintillation P... | 9 |
| Single-Event Burnout Mechanisms ... | 8 |
| 同小類學科的其他優(yōu)質(zhì)期刊 | 影響因子 | 中科院分區(qū) |
| International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4區(qū) |
| Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區(qū) |
| Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2區(qū) |
| Complexity | 1.7 | 4區(qū) |
| Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區(qū) |
| International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區(qū) |
| Electronics | 2.6 | 3區(qū) |
| Aerospace | 2.1 | 3區(qū) |
| Buildings | 3.1 | 3區(qū) |
| Shock Waves | 1.7 | 4區(qū) |
若用戶需要出版服務，請聯(lián)系出版商：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。
